虽然有些人认为 GaN 仍是一种相对较新的技术，但却无法否认它跻身一流技术行列的事实。GaN（又名“氮化镓”）技术即将取代硅 LDMOS，后者一直以来都是高功率应用的首选。GaN 是一种 III-V 直接带隙半导体技术。由于其具备更高的效率、出色的高压可持续性、更低的功耗、更高的温度属性和功率处理特性，GaN 在功率电子设备领域的应用越来越广泛。

这些属性使 GaN 成为 5G 射频的焦点，尤其是在毫米波 5G 网络中。虽然我们都“听说过”5G 的各种前景，随着主要的无线网络运营商向其客户推出 5G 服务，如今大城市中的许多人，更确切地说大约有 500 万人，开始了解这些前景。但其实我们尚未到那一步。完全不是那么回事。我们的目标是到 2025 年连接 28 亿用户。要实现这一目标，就意味着要改造整个移动基础设施，虽然这是一项复杂的任务，但却是能够完成的。借助 GaN 技术，5G 将在不知不觉中达到数十亿用户。

最近，Embedded.com 邀请 Qorvo 的 Roger Hall 撰写了一系列 5G 文章，说明构建基础设施的复杂性，以及在普及 5G 的创新中哪些方面适用 GaN。下面是每篇文章的摘要，并附有链接，以便大家深入了解。

5G 和 GaN：全面了解 6GHz 以下大规模 MIMO 基础设施

在这篇文章中，Roger 说明了运营商在推出 5G 时，利用大规模 MIMO 技术最小化成本和提高容量的优势。他还探讨了 6GHz 以下技术，并说明了为什么该技术对 5G 的采用和扩展至关重要。  此外，他还谈到了如何在大规模 MIMO 基础设施应用中使用 GaN。